31：读取内存时序

　　

　　内存时序：利用微调的改变可以帮助内存效能。

　　在第27到第30小技巧中所建议的数值都是针对内存模块本身而设的，有一组数值为「2.5-4-4-8」的时序参数，表示CAS延迟2.5时脉，RAS to CAS延迟为4时脉，RAS Precharge延迟为4时脉，Active Precharge延迟为8时脉，这种表现的方法通常是内存制造商所建议设定值，当数字改的越小，表示系统可以工作的更快，但是风险就是让系统会有当机的危险，为了改善系统的效能，一次减少一阶数字，在试试看够不够稳定，使用者可参考上图的例子。

　　32：增加内存输入电压

　　内存要跑得快，电压就要增加，所以当时脉增加时，也要同步提生输入电压。

　　「DDR Reference Voltage」项目可以让你以每0.1伏特为单位缓步提高输入电压，要增加这个数字比较有效的配套方法是同步减少内存时序数字，或增加了内存时脉速度的调整，不过，先决条件式系统要能够稳定工作。

　　请注意，输入电压如果提的太高，会有烧掉内存模块的风险。