28：降低CAS的延滞

　　内存的资料存取是靠着内存寻址后，在一段特定延滞时间区间之中，才可以读写该内存位置的内容，这段时间区间就称为内存延滞时间（latency），对每一内存单位可以设为「2T」，也就是两个内存时脉的延迟，或「3T」有三个内存时脉的延迟，如此类推，愈小的「SDRAM CAS Latency」数值表示效能愈高，反之亦然。

　　最安全与最正确的「SDRAM CAS Latency」数值通常会印在内存模块的卷标上，或干脆就蚀刻在芯片上，一般的数字在低价内存模块的产品会是3T或2.5T，如果将2.5T降到2T时，需要再一次确定系统的稳定性，有些内存制造商宣称他们的内存模块可以设到2T，而且还可以跑高的时脉速度，一旦缩短CAS延滞时间成功后，你可以试一试将内存时脉的数字也一并增加，使用者可以在「Memory Frequency」选项中修改。

　　请注意，一次只变动一个项目，然后重新激活系统再做一次测试，这有助于一旦不稳定发生时能够让你回复到正确的参数。

　　29：降低内存加载时间

　　内存单元的电荷充电时间的快慢影响整体运作速度，在「SDRAM RAS Precharge Delay」项目中数值改变，通常用几个时脉数字代表，会影响RAS讯号送出，而内部充电电荷水位已经开始建立的时间区间的长短，愈小的数值设定，例如设定为「2」时，会让整体运作速度节奏变快，不过，设定数字越大，系统运作会更稳定，与先前建议一样，一次改一个数字，检查稳定运作后再做下一个改变。

　　30：缩短两次内存存取间的延迟

　　在「SDRAM Active Precharge Delay」项目可以设定一个内存时脉数字，用来表示下一次内存存取所需要延迟的时间，一旦延迟时机缩短，内存存取就会加快。

　　设定这个数字最好的黄金公式是：Active Precharge Delay = CAS-Latency + RAS Precharge Delay + 2（加上合理安全范围），为了试验其它可能的黄金组合的数字，一次减一个时脉的延迟，看看可不可以正常运作，一旦有问题发生，可以再跳回先前安全设定。